美國國防高等研究計劃局（DARPA）近日回應中國限制鎵出口措施，與國防巨頭 Raytheon Technologies 簽訂為期三年合約，開展新型半導體技術研究計劃。目標是減少對中國鎵資源依賴，並尋找替代材料來應對中國控制全球半導體供應鏈潛在風險。
DARPA 將聚焦於利用合成鑽石等新材料來替代鎵，以開發高效能晶體管。鎵是製造半導體重要原料之一，廣泛應用於各種軍事和通訊裝置上。而鑽石因為其優異熱傳導性能和電子特性，被視為鎵的潛在替代材料之一，具備顯著提升半導體技術效能潛力。
中國於今年開始限制鎵出口，對全球科技業務產生重大影響，尤其在軍事和高科技領域。此舉令美國政府認識到半導體產業供應鏈脆弱性，因此 DARPA 啟動此項技術研發計劃，期望加速鑽石材料在半導體製造中應用，提升美國在尖端技術上的自主能力。
Raytheon Technologies 作為主要承包商，將與美國多所研究機構合作，針對不同材料進行測試與開發，期望能找到能夠取代鎵的最佳選擇。這項研究將涵蓋晶體管高溫操作和耐用性等關鍵領域，未來有望應用於軍事、航天等多個尖端科技領域。
資料來源：Tom’s Hardware
