華為在 2021 年提交專利申請，展示利用 DUV 光刻機（深紫外光刻機）結合 SAQP（自對準四重圖案化）技術，將晶片閘極間距縮減至低於 21nm，達到 2nm 製程門檻。科技產業研究機構 TrendForce 集邦科技近期報導重提此專利，強調中國半導體研究早有準備，證明在沒有 EUV（極紫外光刻）條件下仍可推進先進製程。華為同時亦佈局 GAA 環繞閘極電晶體及 CFET 互補式場效電晶體專利，對應 1nm 至 0.1nm 節點關鍵技術。
SAQP 自對準四重圖案化技術細節
專利採用 DUV 光刻機及 SAQP 技術，避開 EUV 限制以實現高密度圖案化。當中 SAQP （自對準四重圖案化）技術並非四重光刻，四重圖案化與光刻有本質區別，前者成本受控且具可行性。《北美智權報》指出華為方案結合間隔物定義圖案化及雙重硬遮罩材料，提升電路圖案設計自由度。另外，華為技術終點也並不止於 2nm 工藝，據報華為還申請了大量 GAA 環繞柵極晶體管以及 CFET 互補氧化物晶體管相關的專利，後者則是公認的 1nm 以下到 0.1nm 節點的關鍵技術之一。
未來產業影響
相關專利顯示中國半導體探索獨立路線，不受外國制裁影響。若 DUV 路線成功製造 2nm 晶片，依賴昂貴 EUV 或 High NA EUV 的台積電、Samsung 及 Intel 可能面臨競爭壓力。華為 2023 年再申請超過 20 項 GAA 專利，持續推進 1nm 以下技術。
資料來源：快科技
